王昱阳

纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计.pdf

本书内容包括:CMOSVLSI电路设计的技术趋势;半导体制造技术;光刻技术;工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模;面向可制造性的物理设计技术;测量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影响的建模和合格率提高技术;物理设计和可靠性;DFM工具和DFM方法等。