半导体器件及电路的可靠性与退化.pdf
本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管、场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器，以及微波集成电路等各种半导体器件及电路的可靠性和退化问题，并且综述了半导体材料和器件的失效机理（其中包括金属间的固态扩散、电迁徙理论、欧姆接触的失效机理以及Ⅲ-Ⅴ族器件所特有的失效机理
半导体器件
体效应半导体器件.pdf
砷化镓体效应半导体器件是一种新型的半导体器件．它是基于N型砷化镓等化合物半导体材料在高电场下呈现负微分迁移率而制成的．因它属于体内效应、与一般P-N结器件不同，所以称为“体效应半导体器件”．目前，国外正在大力进行研制． 本书对体效应半导体器件的基本原理、器件工艺、
半导体器件研究与进展. (三).pdf
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．本丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自己的科学实践． 本书是这套丛书的第三册，包括专题文章五篇，分别介绍分子束外延、金属有
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