集成电路中的现代半导体器件 : 英文版.pdf
本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。
半导体器件
半导体器件及电路的可靠性与退化.pdf
本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管、场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器，以及微波集成电路等各种半导体器件及电路的可靠性和退化问题，并且综述了半导体材料和器件的失效机理（其中包括金属间的固态扩散、电迁徙理论、欧姆接触的失效机理以及Ⅲ-Ⅴ族器件所特有的失效机理
小尺寸半导体器件的蒙特卡罗模拟.pdf
本书系统介绍了半导体器件和半导体中载流子输运性质的蒙特卡罗模拟．全书共六章，内容包括关于载流子的输运现象及在小尺寸器件中采用蒙特卡罗方法的优点的讨论；各种情形（单粒子模拟和多粒子模拟等）的蒙特卡罗模拟方法；各种能带情形下（非抛物性带、多谷带、价带等）的有关处理；随机事件的各种处理
半导体器件研究与进展. 第一册.pdf
《半导体器件研究与进展》是一套专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书由我国著名半导体专家王守武主编，并约请半导体器件专家为其撰稿．该丛书将分册陆续出版，每册包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
半导体器件电离辐射总剂量效应 陈伟等 编著.pdf
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量
硅半导体器件辐射效应及加固技术.pdf
本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效
半导体器件物理.pdf
本书介绍了半导体器件的基本结构、主要工艺和物理原理，内容包括半导体物理基础、PN结、金属-半导体结、结型场效应晶体管等。
半导体器件化学.pdf
本书是我社出版的《化学知识丛书》之一．从化学的角度出发，介绍半导体器件生产工艺中的基本原理． 全书共分八章．前三章扼要地介绍一些化学基本概念和基本理论，后五章重点阐述氧化、化学清洗、光刻、扩散、制去离子水以及制版等工艺中的化学过程和原理．对于其它有关的工艺原理也作
现代半导体器件物理.pdf
全书共八章，内容涉及先进的双极晶体管和异质结器件，功率器件，热电子器件，微波器件，高速光子器件，以及太阳能电池等。
功率半导体器件基础 : 英文版 | Fundamentals of power semiconductor devices影印版.pdf
本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
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