半导体器件 : 物理与工艺.pdf
本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、光电器件的物理
半导体器件
半导体器件完全指南.pdf
本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件，并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件，更包括新近的量子器件；不仅包括通用器件，还包括专用器件等。
半导体器件研究与进展. 二.pdf
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践． 本书是这套丛书的第二本，包括专题文章四篇，分别介绍窄禁带半导体红外探
半导体器件原理简明教程.pdf
本书介绍了典型半导体器件的核心知识。包括半导体物理基础、pn结、双极型晶体管、场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件等内容。
半导体器件物理（第三版） 孟庆巨 主编;陈占国 副主编.pdf
本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太
半导体器件电离辐射总剂量效应 陈伟等 编著.pdf
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量
半导体器件原理简明教程 傅兴华等 主编.pdf
本书在简要介绍半导体物理知识的基础上，讨论了pn 结、双极型晶体管、结型场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件、其他半导体器件的基本结构、基本工作原理和基本分析方法。
半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用.pdf
半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂和局部加
半导体器件模型和工艺模型.pdf
本书系统地介绍了集成电路计算机辅助设计中所用的半导体器件模型和工艺模型．全书共两篇，十一章，其中半导体器件模型包括双极型晶体管、MOS及结型场效应晶体管、可控硅整流器、各种二极管的模型公式和模型参数，以及集成注入逻辑及模拟和数字电路的宏模型．工艺模型包括离子注入、杂质扩散、热氧化