功率

如下图所示,有一对与电阻R相连的平行导轨M和N,它们在同一水平面上.现加一个匀强磁场,磁感应强度B=1T,磁场方向垂直纸面向里,两导轨间距离l=0.05m.一质量m=0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上(导轨和ab的电阻均不计),ab与导轨的摩擦因数μ=0.1.今以F=0.03N的水平力拉ab,使它以恒定的速度v=4m/s向右运动.取g=10m/s2,求:  (1)R的阻值;  (2)电路中的电流;  (3)电阻R消耗的功率.

如下图所示,有一对与电阻R相连的平行导轨M和N,它们在同一水平面上.现加一个匀强磁场,磁感应强度B=1T,磁场方向垂直纸面向里,两导轨间距离l=0.05m.一质量m=0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上(导轨和ab的电阻均不计),ab与导轨的摩擦因数μ=0.1.今以F=0.03N的水平力拉ab,使它以恒定的速度v=4m/s向右运动.取g=10m/s2,求:  (1)R的阻值;  (2)电路中的电

如图所示,矩形线圈处于匀强磁场中,今以两种大小不同的速度v1和v2(已知v1=4v2)分别将线圈从磁场中拉出相等的距离,那么,两种情况下线圈中感应电动势之比为____;两种情况下外力的功率之比为____.

如图所示,矩形线圈处于匀强磁场中,今以两种大小不同的速度v1和v2(已知v1=4v2)分别将线圈从磁场中拉出相等的距离,那么,两种情况下线圈中感应电动势之比为\_\_\_\_;两种情况下外力的功率之比为\_\_\_\_.

功率半导体器件基础 : 英文版 | Fundamentals of power semiconductor devices影印版.pdf

本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。

在如图所示的电路中,电源电动势,内阻忽略不计;电阻R=10Ω,R2=15Ω,电流表内阻忽略不计,合上开关S后,电流表的读数为I2=0.4A,求电阻R1的阻值和此时R1上消耗的功率.

在如图所示的电路中,电源电动势,内阻忽略不计;电阻R=10Ω,R2=15Ω,电流表内阻忽略不计,合上开关S后,电流表的读数为I2=0.4A,求电阻R1的阻值和此时R1上消耗的功率.

认知无线电系统功率控制研究.pdf

本书系统地诠释认知无线电系统功率控制技术的研究。全书共分7章,内容包括:认知无线电系统的基本概念、认知无线电功率控制技术研究现状及存在的问题;基于混沌粒子群优化的功率控制算法;基于动态粒子群优化的功率控制算法;基于改进人工鱼群的功率控制算法;基于凸优化理论的分布式功率控制算法;基