功率

大功率硅可控整流元件及应用 : 译文集. 下集.pdf

这本译文集是根据1969年在伦敦召开的“大功率硅可控整流组件及其应用”的会议论文集,结合我国社会主义建设的需要编译的。共分上下两集出版(上集为组件部分共18篇,下集为应用部分共38篇)。上集介绍了4000伏硅可控整流组件的设计,提高电压可达7000伏的双正斜角结构和工艺,以及组件

如图所示的电路中,电阻R1的阻值是2欧姆,R2的阻值是4欧姆,电池的电动势ε等于4.2伏特,内阻r等于0.2欧姆,则R1和R2两端的电压之比U1:U2等于____;R1和R2上所消耗的功率之比P1:P2等于____.

如图所示的电路中,电阻R1的阻值是2欧姆,R2的阻值是4欧姆,电池的电动势ε等于4.2伏特,内阻r等于0.2欧姆,则R1和R2两端的电压之比U1:U2等于\_\_\_\_;R1和R2上所消耗的功率之比P1:P2等于\_\_\_\_.

在倾角为θ的斜面上,沿下滑方向铺两条平行的光滑金属轨道,导轨的间距为L=0.1m,两者底端ab用R=0.04欧的电阻相连,在轨道上垂直于轨道放有一根杆,其质量为m=0.005kg,今垂直于斜面加一匀强磁场B,当金属杆以v=10m/s的速率下滑时,有电流沿从a经R到b的方向流通,设导轨和金属杆的电阻都忽略不计,g值取10m/s2,求:  (1)匀强磁场B的大小和方向;  (2)电流的功率P.

在倾角为θ的斜面上,沿下滑方向铺两条平行的光滑金属轨道,导轨的间距为L=0.1m,两者底端ab用R=0.04欧的电阻相连,在轨道上垂直于轨道放有一根杆,其质量为m=0.005kg,今垂直于斜面加一匀强磁场B,当金属杆以v=10m/s的速率下滑时,有电流沿从a经R到b的方向流通,设导轨和金属杆的电阻都忽略不计,g值取10m/s2,求:  (1)匀强磁场B的大小和方向;  (2)电流的功率P.

高功率光纤激光技术.pdf

本书共9章,内容包括:光在光纤中的传输特性;双包层光纤激光器、放大器的结构和工作原理;双包层光纤激光产生、放大过程中的特性分析;光纤激光非相干组束的规律以及组束的效果分析。

硅基功率集成电路设计技术.pdf

本书重点讲述硅基功率集成电路及相关集成器件的设计技术理论和应用。第1章综述功率集成电路基本概念、特点及发展;第2~3章介绍功率集成电路最核心的两种集成器件(LDMOS和SOI-LIGBT)的结构、原理及可靠性;在器件基础上,第4~6章重点阐述高压栅驱动集成电路、非隔离型电源管理集

标有“220V,100W”灯L1和“220V,25W”灯L2串联在同一电路中,它们实际消耗的功率之比为____,为使两灯能安全使用,则电路两端所加电压最大值____,电路中所允许消耗的最大功率____.

标有“220V,100W”灯L1和“220V,25W”灯L2串联在同一电路中,它们实际消耗的功率之比为\_\_\_\_,为使两灯能安全使用,则电路两端所加电压最大值\_\_\_\_,电路中所允许消耗的最大功率\_\_\_\_.

如图11所示,导体棒ab、cd放在光滑的水平导轨上,cd棒通过滑轮悬挂一个质量为m的物块,整个装置处于磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场中,ab在外力作用下以速度v1匀速向右运动时,cd棒由静止释放,设ab、cd的长度均为L,ab棒的电阻为r1,cd棒的电阻为r2,导轨足够长且电阻不计,求:  (1)cd棒开始运动的方向与ab棒匀速运动速度v1取值的关系;  (2)稳定状态时,cd棒匀速运动的速度;  (3)稳定状态时,回路的电功率P电和外力的功率P外.图11

如图11所示,导体棒ab、cd放在光滑的水平导轨上,cd棒通过滑轮悬挂一个质量为m的物块,整个装置处于磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场中,ab在外力作用下以速度v1匀速向右运动时,cd棒由静止释放,设ab、cd的长度均为L,ab棒的电阻为r1,cd棒的电阻为r2,导轨足够长且电阻不计,求:  (1)cd棒开始运动的方向与ab棒匀速运动速度v1取值的关系;  (2)稳定状态时,cd棒匀速运