氮化物宽禁带半导体材料与电子器件.pdf
本书共14章，介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。
郝跃
碳化硅宽带隙半导体技术.pdf
本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质，晶体及薄膜生长技术，器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用，同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍。
微纳米MOS器件可靠性与失效机理.pdf
本书主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。