沈波

宽禁带半导体电子材料与器件.pdf

宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质,不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性,而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系,在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介