半导体器件可靠性物理.pdf
本书重点阐述了发生在半导体器件内部的、导致器件失效的各种物理及化学效应，亦即失效机理。全书共八章，前二章简要地叙述了半导体器件的工艺结构，参数及温度特性；后六章分别论述了热与热电反馈效应，界面效应、薄膜的高电流密度效应（电徙动）、静电效应、辐射效应以及化学和电化学效应（湿度效应）
导体
半导体光子学.pdf
本书包括光子材料、异质结构和能带、辐射复合发光和光吸收、光波传输模式；超晶格和量子阱、发光管、激光器、探测器、光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理；器件结构和特性以及光子晶体、光子集成等内容。力求对半导体光子学的基本概念、光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和
半导体器件研究与进展. (三).pdf
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．本丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自己的科学实践． 本书是这套丛书的第三册，包括专题文章五篇，分别介绍分子束外延、金属有
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中，有两根相距为l的平行导轨，导轨平面与磁场垂直，导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动，欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中，有两根相距为l的平行导轨，导轨平面与磁场垂直，导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动，欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．
半导体异质结构与纳米结构表征英文影印版.pdf
本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质 (结构、物理, 化学、电气等) 的专门表征技术。此外, 介绍了采用第一原理进行的模拟、建模方法, 以及异质结构的电学与光学特性。本书结构基于双重目标: 以物理、化学, 材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度
如图所示，a为位于水平面上的光滑金属圆环，其半径R＝0.5m，轻导体棒ob搭接在圆环上，在外力矩作用下，以角速度＝240弧度/秒绕圆心o沿顺时针方向匀速转动，整个圆环处于磁感应强度B＝1T的匀强磁场中，磁感线方向垂直圆环平面向外，圆环与导体棒的电阻均略去不计，R1＝R4＝4Ω．R2＝R3＝6Ω．求： （1）导体棒ob感应电动势的大小，o、b哪点电势高； （2）如果转动轴o无摩擦，外力矩等于多少？
如图所示，a为位于水平面上的光滑金属圆环，其半径R＝0.5m，轻导体棒ob搭接在圆环上，在外力矩作用下，以角速度＝240弧度/秒绕圆心o沿顺时针方向匀速转动，整个圆环处于磁感应强度B＝1T的匀强磁场中，磁感线方向垂直圆环平面向外，圆环与导体棒的电阻均略去不计，R1＝R4＝4Ω．R2＝R3＝6Ω．求： （1）导体棒ob感应电动势的大小，o、b哪点电势高； （2）如果转动轴o无摩擦，外力矩等于多少
半导体电路基础习题解答.pdf
本书是1980—1982年陆续出版的《半导体电路基础》（第一册至第四册）的习题解答． 书中所给出的159道思考题和103道练习题的解答可作为《半导体电路基础》一书的一个组成部分．读者通过对本书的阅读，可加深对半导体电路基本概念和基本工作原理的理解，有助于进一步掌握
半导体电路基础. 第一册.pdf
本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材． 本书共分四册．第一册包括半导体器件，低频小信号放大电路，负反馈及低频功率放大电路． 第二册包括直流放大，整流滤波，稳压及自激正弦波振荡器等内容．第三、四册为脉冲及数字电路．