半导体集成电路.pdf
本书在简述了集成电路的基本概念、发展和面临的主要问题后，首先介绍了半导体集成电路的主要制造工艺、基本元器件的结构和工作原理；然后重点讨论了数字集成电路中的组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、逻辑功能部件；最后介绍了模拟集成电路中的关键电路和数-模、模-数转换电路等。
导体
半导体器件 : 物理与工艺.pdf
本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、光电器件的物理
图中有一个含有电容器的导体回路，其中有一磁场从中穿过，方向如图所示，磁感应强度在0.2s内从5×10－4T增加到15×10－4T，如果回路面积是10－2m2，电容器电容是10微法，求电容器上板上所带的电量及上极板带何种电荷．
图中有一个含有电容器的导体回路，其中有一磁场从中穿过，方向如图所示，磁感应强度在0.2s内从5×10－4T增加到15×10－4T，如果回路面积是10－2m2，电容器电容是10微法，求电容器上板上所带的电量及上极板带何种电荷．
功率半导体器件基础 : 英文版 | Fundamentals of power semiconductor devices影印版.pdf
本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
电力电子电路.pdf
本书对谐波分析、坐标变换等作为控制分析理论进行总结，重点阐述了PWM逆变器的新控制方法和交流变换电路的新的直接变换电路的整理等内容。
半导体的电子结构与性能.pdf
本书共分11章，主要介绍了半导体中的能带理论、光学性质和电输运、半导体中的本征点缺陷、半导体中的晶界等内容。
如下图所示，有一对与电阻R相连的平行导轨M和N，它们在同一水平面上．现加一个匀强磁场，磁感应强度B＝1T，磁场方向垂直纸面向里，两导轨间距离l＝0.05m．一质量m＝0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上（导轨和ab的电阻均不计），ab与导轨的摩擦因数μ＝0.1．今以F＝0.03N的水平力拉ab，使它以恒定的速度v＝4m／s向右运动．取g＝10m／s2，求： （1）R的阻值； （2）电路中的电流； （3）电阻R消耗的功率．
如下图所示，有一对与电阻R相连的平行导轨M和N，它们在同一水平面上．现加一个匀强磁场，磁感应强度B＝1T，磁场方向垂直纸面向里，两导轨间距离l＝0.05m．一质量m＝0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上（导轨和ab的电阻均不计），ab与导轨的摩擦因数μ＝0.1．今以F＝0.03N的水平力拉ab，使它以恒定的速度v＝4m／s向右运动．取g＝10m／s2，求： （1）R的阻值； （2）电路中的电
格物建新：夏建白院士文集.pdf
《格物建新：夏建白院士文集》梳理和总结了中国科学院院士、半导体物理学家夏建白先生近60年从事半导体物理学领域科研活动的历程。主要包括夏建白院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、自传以及获授奖项等内容。夏建白院士是我国著名的半导体物理学家，在低维半导体微结构电子态的量子理论
植根厚土 笃行致远：郑厚植院士文集 中国科学院半导体研究所 编.pdf
本书梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家，在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究，并取得
半导体光放大器及其应用.pdf
本书共分9章，介绍了半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用，介绍了半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，阐述了半导体炮放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果，介绍了半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。