氮化物宽禁带半导体材料与电子器件.pdf
本书共14章，介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。
禁带
宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色.pdf
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚
宽禁带电力电子器件原理与应用.pdf
本书以碳化硅和氮化镓电力电子器件为主要对象，首先介绍宽禁带电力电子器件的现状与发展，阐述宽禁带电力电子器件的物理基础与基本原理；然后介绍宽禁带电力电子器件的特性与参数，分析宽禁带电力电子器件在单管电路和桥臂电路中的工作原理与性能特点，阐述宽禁带电力电子器件的驱动电路设计挑战、原理
窄禁带半导体物理学.pdf
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学性质、晶格振动、自由载流子的激发、运输和复合、杂质缺陷、表面界面、二维电子气等基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。
宽禁带半导体电子材料与器件.pdf
宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介
宽禁带半导体电机驱动控制技术.pdf
本书主要介绍基于宽禁带功率器件的电机驱动控制技术的最新研究成果。首先，介绍两种典型宽禁带功率器件，即碳化硅和氮化镓功率器件的内部结构及其外部特性；接着，分析宽禁带功率器件门极驱动电路的特点和要求，介绍了串扰抑制、过流保护及高温门极驱动电路；然后，从器件特性出发分析电机驱动器输出电