晶体生长基础与技术 王国富,李凌云 著.pdf
《晶体生长基础与技术》系统介绍了人工晶体生长的基础理论和相图技术，在此基础上全面介绍了人工晶体生长主流技术如水溶液法、助熔剂法、水热法、焰熔法、提拉法和坩埚下降法等，详细介绍了上述人工晶体生长技术的基本原理、设备设计与构造、生长工艺以及它们的优缺点等。同时，作者结合自身多年科研工
晶体生长
氮化铝晶体生长与应用.pdf
氮化铝（AlN）是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料。氮化铝拥有热导率高、热膨胀系数低、介电常数高、抗腐蚀能力强、热力学稳定性高等优异特性。本书系统、深入地介绍了氮化铝晶体的基本性质、生长方法和具体应用。全书分为7章：第1章是绪论，介绍了第一、二、三代半导体材料的基本概念、性质和
晶体生长微观机理及晶体生长边界层模型.pdf
传统的晶体生长理论模型创建时，受时代限制，缺乏原位实时观测晶体生长过程微观结构演化的实验基础，难以真实、完整地反映晶体生长过程中微观结构的演化。本书突破了晶体生长机理研究的传统思维，采用高温激光显微拉曼光谱和同步辐射Ｘ射线衍射等现代观测技术，从微观尺度上，原位实时观测晶体生长过程
晶体生长中输运现象及晶体缺陷.pdf
《晶体生长中输运现象及晶体缺陷》是作者在十多年来从事晶体生长和工程热物理交叉领域研究的基础上编写的。《晶体生长中输运现象及晶体缺陷》首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热
晶体生长原理与技术（第二版）.pdf
本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问
X射线衍射分析用的蛋白质和核酸晶体的生长及初步研究.pdf
X射线结构分析早已成为蛋白质和核酸的常规分析手段，而其关键性的前提是获得足够合用的生物分子大单晶．本书在纵观大量文献和总结丰富的实践经验的基础上扼要综述了培养适于X射线衍射分析用的蛋白质和核酸晶体的知识和方法，内容包括各种结晶方法和条件、晶体性质与鉴定以及X射线衍射图象的解析等，
碳化硅晶体生长与缺陷.pdf
本书是国家重点项目《PVT法碳化硅晶体生长与缺陷研究》的系统总结，内容包括碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的物理气相输运法生长等。