半导体器件研究与进展. 第一册.pdf
《半导体器件研究与进展》是一套专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书由我国著名半导体专家王守武主编，并约请半导体器件专家为其撰稿．该丛书将分册陆续出版，每册包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
导体
半导体器件电离辐射总剂量效应 陈伟等 编著.pdf
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量
半导体光谱测试方法与技术.pdf
本书在回顾光谱学和光谱仪器的发展过程后，对半导体中涉及的主要光学过程以及半导体材料、器件及应用研究中需要哪些光谱分析手段和方法作了简要介绍，然后以分光（色散）和傅里叶变换两种方法为基础讨论了光谱分析的基本原理、测试仪器、关键部件、系统构成以及限制因素等，并结合一系列测量实例对吸收
如图所示，两根细导线悬挂一水平导体杆ab，导体位于匀强磁场中，磁场的磁感应强度为B，磁场方向垂直纸面向里，导体杆的质量为m，长度为L，导体中通以电流，方向由a向b，当导体ab保持静止，且两根导线中张力为0时，电流I＝____．
如图所示，两根细导线悬挂一水平导体杆ab，导体位于匀强磁场中，磁场的磁感应强度为B，磁场方向垂直纸面向里，导体杆的质量为m，长度为L，导体中通以电流，方向由a向b，当导体ab保持静止，且两根导线中张力为0时，电流I＝\_\_\_\_．
半导体存储器及其测试.pdf
本书系统地介绍了半导体存储器的工作原理、电路结构、测试方法以及半导体存储器测试设备的工作原理与结构。对于各种类型的MOS存储器、双极存储器和在研制存储器测试设备中所涉及的数/模与模/数变换技术、计算机技术均作了适当的介绍。 书中较仔细地分析了目前正在研制的几种半导
硅半导体器件辐射效应及加固技术.pdf
本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效
半导体器件物理.pdf
本书介绍了半导体器件的基本结构、主要工艺和物理原理，内容包括半导体物理基础、PN结、金属-半导体结、结型场效应晶体管等。
窄禁带半导体物理学.pdf
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学性质、晶格振动、自由载流子的激发、运输和复合、杂质缺陷、表面界面、二维电子气等基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。
半导体物理学进展.pdf
本书从半导体物理学与现代高科技之间互为驱动的关系出发，在纵观近三十年来国内外重大进展的基础上，研讨了半导体物理学各个分支学科涌现出来的新概念、新突破和新方向，以及它们对半导体物理学学科发展的影响与贡献，分析了半导体物理学的研究现状及面临的挑战和机遇。