有机半导体异质结 : 晶态有机半导体材料与器件.pdf
本书以作者研究组近年来的主要工作为主线，介绍在非晶表面制备大面积的高有序有机半导体薄膜的原理和方法，高迁移率有机半导体的导质结效应和界面电子结构，有机异质结效应对电输运的影响，以及微纳尺度有机晶态薄膜在有机薄膜晶体管等方面的应用。
导体
半导体激光器速率方程理论（下册）.pdf
速率方程理论是从微观唯象观点，以唯象参数为工具，以粒子数守恒为依据的速率方程为分析手段的半导体激光器件物理理论，从全局上揭示半导体激光器的激射阈值相变、模式的竞争、谱系结构等静态行为和激射延迟、过冲、振荡过渡等瞬态行为，大小信号调制的方式方法及其速率、动态频谱结构、动态单模化、光
半导体器件原理简明教程 傅兴华等 主编.pdf
本书在简要介绍半导体物理知识的基础上，讨论了pn 结、双极型晶体管、结型场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件、其他半导体器件的基本结构、基本工作原理和基本分析方法。
磷光体和半导体的表面物理.pdf
本书论述磷光体和半导体的表面性质．全书共分九章，由知名学者分别撰写．前四章论述表面的微观结构、杂质鉴别及表面态理论等基本问题，后五章侧重于评述实验工作及其理论分析，并讨论了表面对电子器件特性的影响．第一，二，四章由韩和阳、吴吉安、沈光弟翻译，第三，六，九章由潘书详、葛修怀翻译，第
超越自由 : 神奇的超导体.pdf
本书介绍了五组研究超导电性而获得诺贝尔物理学奖的工作组的有关工作，并在超导应用前景上表明，超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。
如图所示，一个U形导体框架，宽1m，其所在平面与水平夹角为30°，其电阻可忽略不计．设匀强磁场与U形框架的平面垂直，磁感应强度为0.2T，今有一条导线ab，其质量为0.2kg，电阻0.1Ω，跨放在U形框上，并且无摩擦地滑动．求： （1）导体ab下滑的最大速度vm； （2）当下滑速度为vm时，在导体ab上消耗的电功率．
如图所示，一个U形导体框架，宽1m，其所在平面与水平夹角为30°，其电阻可忽略不计．设匀强磁场与U形框架的平面垂直，磁感应强度为0.2T，今有一条导线ab，其质量为0.2kg，电阻0.1Ω，跨放在U形框上，并且无摩擦地滑动．求： （1）导体ab下滑的最大速度vm； （2）当下滑速度为vm时，在导体ab上消耗的电功率．
体效应半导体器件.pdf
砷化镓体效应半导体器件是一种新型的半导体器件．它是基于N型砷化镓等化合物半导体材料在高电场下呈现负微分迁移率而制成的．因它属于体内效应、与一般P-N结器件不同，所以称为“体效应半导体器件”．目前，国外正在大力进行研制． 本书对体效应半导体器件的基本原理、器件工艺、
奇妙的半导体.pdf
本书以通俗的语言介绍了半导体与信息技术的关系、半导体及其性质与性能、半导体杂质工程与缺陷工程、外延生长和能带工程、半导体材料家族和半导体在社会发展中的作用等内容。
光电器件半导体纳米结构 : 加工、表征与应用 : processing, characterization and applications | 影印版.pdf
如题，《光电器件半导体纳米结构：加工、表征与应用》介绍纳米光电器件的加工、表征及应用。纳米结构涉及纳米线、纳米棒、掺杂半导体纳米机构以及可见光发射器、石墨烯等宽带纳米结构。书中详细阐述了它们的表征和应用。
半导体缺陷电子学.pdf
缺陷对半导体的电学、光学、力学性质，器件的性能及成品率有着决定性的影响．本书系统地论述了载流子输运的基本原理、半导体中的各种缺陷，并着重介绍了位错的力学、电学性质，载流子输运的各向异性，位错的控制生长，以及利用位错制备特殊性能的器件． 本书是一本全面而又深入地论述