半导体材料 | 3版.pdf
本书介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等，包括硅和锗的化学制备、区熔提纯、晶体生长、硅外延生长、低维结构半导体材料、氧化物半导体材料、照明半导体材料等内容。
导体
金属-氧化物-半导体集成电路 : 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的理论、设计、制造和在整体中的应用.pdf
金属-氧化物-半导体（MOS）大规模集成电路，是近十年来发展起来的一种新技术． 本书以铝栅P沟道MOS工艺为重点，对这一技术进行了比较全面的介绍．内容包括：MOS技术的优缺点及应用情况（第一章）；MOS绝缘栅场效应晶体管的原理、工艺和版图设计（第二、三、八章）；M
宽禁带半导体电机驱动控制技术.pdf
本书主要介绍基于宽禁带功率器件的电机驱动控制技术的最新研究成果。首先，介绍两种典型宽禁带功率器件，即碳化硅和氮化镓功率器件的内部结构及其外部特性；接着，分析宽禁带功率器件门极驱动电路的特点和要求，介绍了串扰抑制、过流保护及高温门极驱动电路；然后，从器件特性出发分析电机驱动器输出电
半导体材料物理与技术.pdf
半导体材料是二级学科“微电子与固体电子学”的一个分支学科，《半导体材料物理与技术》将这一分支学科的专业知识划分为半导体材料概述、物理性能、晶体生长、热处理、性能测量和工艺基础技术6个组成部分，通过把分散在众多教科书、专着和文献资料中的专业知识系统地纳入这一学科体系框架，使之成为一
如图所示，在磁感应强度为B的匀强磁场中，有一导线ABCD，它所在平面与磁场方向垂直，ADC在同一直线上，各段导线的长度和AD的距离都标在图中，当导线ABCD以垂直于ADC方向的速度v沿它所在的平面运动时，在AD两端产生的电势差的大小为（ ）．
如图所示，在磁感应强度为B的匀强磁场中，有一导线ABCD，它所在平面与磁场方向垂直，ADC在同一直线上，各段导线的长度和AD的距离都标在图中，当导线ABCD以垂直于ADC方向的速度v沿它所在的平面运动时，在AD两端产生的电势差的大小为（ ）．
半导体异相光催化 : 热动力学机制研究和实验论证.pdf
本书系统论述了半导体异相光催化的热动力学机制并讨论了相关实验，内容涉及光催化的研究进展、热力学和功效应、数学物理分析和实验论证；从宏观热力学角度出发，论述了光催化中光生载流子功效应及与光催化效应的关联，并通过掺杂、调节光强和双光束诱导等实验进行了论证；综合分析了光催化物理化学过程
半导体器件物理学习与考研指导.pdf
本书内容包括半导体物理基础、PN结、双级结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管等。
如图所示，以一定速度向右拉动导体ab，如果回路的电阻增大，则在相同的时间内，外力做的功（ ）．
如图所示，以一定速度向右拉动导体ab，如果回路的电阻增大，则在相同的时间内，外力做的功（ ）．
Ⅳ族、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的特性.pdf
本书对常见半导体材料的晶体结构、热学特性、机械特性、晶格动力学特性、电子能带结构、光学特性、载流子输运特性、压电特性以及电光效应等特性进行了比较全面的描述，并提供了大量的图表以及具体数据。
半导体电路基础. 第四册.pdf
本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材． 本书共分四册．第一、二册为半导体低频放大电路，第三、四册为脉冲与数字电路． 第四册内容包括逻辑门电路，逻辑代数，集成电路触发器，计数器和寄存器，数码显示，数字-模拟和模拟-数