半导体科学与技术.pdf
本书系统介绍了当前国际、国内半导体科学和技术各个领域，包括半导体材料的生长、物理问题、重要实验和理论结果、器件结构和应用等方面的基础知识、研究现状、发展趋势和有待解决的关键问题。
导体
如图所示，AB长50cm，整个装置放在磁感应强度为5×10－2T的匀强磁场中，磁场方向与纸面垂直向外．求： （1）导体AB以4m/s速度向右运动时，感应电动势的大小； （2）感应电流的方向； （3）AB两端哪一端电势高； （4）若电路ABCD的电阻并不变化，等于0.2Ω，感应电流的大小是多少； （5）磁场对导线AB作用力的大小和方向； （6）比较所做的机械功率和电路中消耗的电功率．
如图所示，AB长50cm，整个装置放在磁感应强度为5×10－2T的匀强磁场中，磁场方向与纸面垂直向外．求： （1）导体AB以4m/s速度向右运动时，感应电动势的大小； （2）感应电流的方向； （3）AB两端哪一端电势高； （4）若电路ABCD的电阻并不变化，等于0.2Ω，感应电流的大小是多少； （5）磁场对导线AB作用力的大小和方向； （6）比较所做的机械功率和电路中消耗的电功率．
半导体光谱和光学性质（第三版）.pdf
本书系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质.从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质.本书第二版总结了过去30年来国内外这
半导体晶体的定向切割.pdf
本书首先简单介绍晶体取向的表示方法，然后着重叙述晶体的解理法定向、光图象法定向和X射线定向三种定向切割方法，并对具体操作方法作了较为详细的叙述．最后还概略地介绍了切割机器和极性的确定方法。 本书可供从事晶体定向切割、半导体材料和器件制作的工人和科技人员参考．
半导体电路基础. 第一册.pdf
本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材． 本书共分四册．第一册包括半导体器件，低频小信号放大电路，负反馈及低频功率放大电路． 第二册包括直流放大，整流滤波，稳压及自激正弦波振荡器等内容．第三、四册为脉冲及数字电路．
半导体电路基础习题解答.pdf
本书是1980—1982年陆续出版的《半导体电路基础》（第一册至第四册）的习题解答． 书中所给出的159道思考题和103道练习题的解答可作为《半导体电路基础》一书的一个组成部分．读者通过对本书的阅读，可加深对半导体电路基本概念和基本工作原理的理解，有助于进一步掌握
如图所示，a为位于水平面上的光滑金属圆环，其半径R＝0.5m，轻导体棒ob搭接在圆环上，在外力矩作用下，以角速度＝240弧度/秒绕圆心o沿顺时针方向匀速转动，整个圆环处于磁感应强度B＝1T的匀强磁场中，磁感线方向垂直圆环平面向外，圆环与导体棒的电阻均略去不计，R1＝R4＝4Ω．R2＝R3＝6Ω．求： （1）导体棒ob感应电动势的大小，o、b哪点电势高； （2）如果转动轴o无摩擦，外力矩等于多少？
如图所示，a为位于水平面上的光滑金属圆环，其半径R＝0.5m，轻导体棒ob搭接在圆环上，在外力矩作用下，以角速度＝240弧度/秒绕圆心o沿顺时针方向匀速转动，整个圆环处于磁感应强度B＝1T的匀强磁场中，磁感线方向垂直圆环平面向外，圆环与导体棒的电阻均略去不计，R1＝R4＝4Ω．R2＝R3＝6Ω．求： （1）导体棒ob感应电动势的大小，o、b哪点电势高； （2）如果转动轴o无摩擦，外力矩等于多少
半导体异质结构与纳米结构表征英文影印版.pdf
本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质 (结构、物理, 化学、电气等) 的专门表征技术。此外, 介绍了采用第一原理进行的模拟、建模方法, 以及异质结构的电学与光学特性。本书结构基于双重目标: 以物理、化学, 材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中，有两根相距为l的平行导轨，导轨平面与磁场垂直，导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动，欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中，有两根相距为l的平行导轨，导轨平面与磁场垂直，导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动，欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．