半导体中的深能级杂质.pdf
杂质问题是半导体的最重要、最基本的问题之一．深能级杂质和半导体的发光、光电、电学、热学、力学等性质关系极大，并在空间电荷限定电流效应、复合波振荡、畴振荡、杂质碰撞电离效应等方面都起着关键作用． 本书是一本论述半导体中杂质问题的专著，系统地总结了1973年以前有关半
导体
半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用.pdf
半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂和局部加
启明之光 : 王启明院士从事科研活动60载回顾.pdf
本书系统回顾了王启明院士为我国半导体科技事业做出的巨大贡献，介绍了他从事科技创新事业60年来的学术成就与科研贡献，赞叹王启明院士爱国奉献、谦虚儒雅的优秀品质，感谢王启明院士多年来对青年学子的关怀提携。
半导体自旋电子学.pdf
本书介绍了半导体自旋电子学的一些基本概念和国际国内的研究成果，其中包括半导体中磁离子的性质、稀磁半导体中巨Zeeman分裂、铁磁半导体的居里温度等。
半导体器件物理与工艺.pdf
本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面
如图7所示，磁感应强度B＝0.5T的匀强磁场中，在与磁场垂直的平面内，长l＝0.5m的金属棒ab以v＝4m／s、方向与棒ab垂直的速度向右运动，则棒内感应电动势的大小为____，方向为____．图7
如图7所示，磁感应强度B＝0.5T的匀强磁场中，在与磁场垂直的平面内，长l＝0.5m的金属棒ab以v＝4m／s、方向与棒ab垂直的速度向右运动，则棒内感应电动势的大小为\_\_\_\_，方向为\_\_\_\_．图7
半导体器件研究与进展. 二.pdf
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践． 本书是这套丛书的第二本，包括专题文章四篇，分别介绍窄禁带半导体红外探
半导体器件完全指南.pdf
本书全面介绍了从第一只电阻器出现至今的200多种半导体器件，并对每种器件的背景知识、结构、原理及应用做了完整的概述。器件类型不仅包括早期或已淘汰的器件，更包括新近的量子器件；不仅包括通用器件，还包括专用器件等。
如图11所示，导体棒ab、cd放在光滑的水平导轨上，cd棒通过滑轮悬挂一个质量为m的物块，整个装置处于磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场中，ab在外力作用下以速度v1匀速向右运动时，cd棒由静止释放，设ab、cd的长度均为L，ab棒的电阻为r1，cd棒的电阻为r2，导轨足够长且电阻不计，求： （1）cd棒开始运动的方向与ab棒匀速运动速度v1取值的关系； （2）稳定状态时，cd棒匀速运动的速度； （3）稳定状态时，回路的电功率P电和外力的功率P外．图11
如图11所示，导体棒ab、cd放在光滑的水平导轨上，cd棒通过滑轮悬挂一个质量为m的物块，整个装置处于磁感应强度大小为B、方向竖直向下的匀强磁场中，ab在外力作用下以速度v1匀速向右运动时，cd棒由静止释放，设ab、cd的长度均为L，ab棒的电阻为r1，cd棒的电阻为r2，导轨足够长且电阻不计，求： （1）cd棒开始运动的方向与ab棒匀速运动速度v1取值的关系； （2）稳定状态时，cd棒匀速运