导体

半导体致冷器件及其应用.pdf

本书是半导体敏感器件及其应用丛书之一.这套丛书系统地介绍了各类半导体敏感器件的原理、设计、工艺、测试等方面的内容,并阐述了半导体敏感器件与传感器在信息摄取、检测和控制处理等方面的实际应用. 本书主要从应用的角度出发,对半导体致冷技术件了系统的介绍.内容包括基本原理

半导体电路基础. 第二册. 第二分册.pdf

本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材. 本书共分四册.第一册包括半导体器件,低频小信号放大电路,负反馈及低频功率放大电路. 第二册分两个分册,内容包括直流放大电路,整流和滤波电路,直流稳压电源及目激正弦波振荡器,最

半导体中的氢.pdf

本书系统扼要地介绍了从20世纪70年代直到近年来国内外关于半导体中氢的研究成果。内容涵盖从半导体中氢原子与氢分子的红外或拉曼光谱测定和氢致缺陷形成机理研究,到半导体中氢的基本性质和重要效应。后者包括含氢复合物,杂质与缺陷的钝化,氢引起半导体的表面金属化或磁性以及导电性的改变;特别

半导体缺陷电子学.pdf

缺陷对半导体的电学、光学、力学性质,器件的性能及成品率有着决定性的影响.本书系统地论述了载流子输运的基本原理、半导体中的各种缺陷,并着重介绍了位错的力学、电学性质,载流子输运的各向异性,位错的控制生长,以及利用位错制备特殊性能的器件. 本书是一本全面而又深入地论述

奇妙的半导体.pdf

本书以通俗的语言介绍了半导体与信息技术的关系、半导体及其性质与性能、半导体杂质工程与缺陷工程、外延生长和能带工程、半导体材料家族和半导体在社会发展中的作用等内容。

如图所示,一个U形导体框架,宽1m,其所在平面与水平夹角为30°,其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直,磁感应强度为0.2T,今有一条导线ab,其质量为0.2kg,电阻0.1Ω,跨放在U形框上,并且无摩擦地滑动.求:  (1)导体ab下滑的最大速度vm;  (2)当下滑速度为vm时,在导体ab上消耗的电功率.

如图所示,一个U形导体框架,宽1m,其所在平面与水平夹角为30°,其电阻可忽略不计.设匀强磁场与U形框架的平面垂直,磁感应强度为0.2T,今有一条导线ab,其质量为0.2kg,电阻0.1Ω,跨放在U形框上,并且无摩擦地滑动.求:  (1)导体ab下滑的最大速度vm;  (2)当下滑速度为vm时,在导体ab上消耗的电功率.

体效应半导体器件.pdf

砷化镓体效应半导体器件是一种新型的半导体器件.它是基于N型砷化镓等化合物半导体材料在高电场下呈现负微分迁移率而制成的.因它属于体内效应、与一般P-N结器件不同,所以称为“体效应半导体器件”.目前,国外正在大力进行研制. 本书对体效应半导体器件的基本原理、器件工艺、

超越自由 : 神奇的超导体.pdf

本书介绍了五组研究超导电性而获得诺贝尔物理学奖的工作组的有关工作,并在超导应用前景上表明,超导的应用开发是本世纪在节能和探微方面高科技的方向之一。