集成电路中的现代半导体器件 : 英文版.pdf
本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。
导体
透明氧化物半导体.pdf
本书论述了透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。
宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色.pdf
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚
n型有机半导体材料及在光电器件中的应用.pdf
有机半导体材料具有质轻、柔性、可溶液加工、价廉等优点，在光电器件中的应用越来越广泛。n型和p型有机半导体材料对光电器件同等重要。然而，n型有机半导体材料的早期发展曾长时间滞后于p型有机半导体材料，被认为是有机电子学领域的一个瓶颈。近年来，n型有机半导体材料的研究取得了突破性进展。
半导体太赫兹源、探测器与应用.pdf
本书主要论述了半导体太赫兹（THz）辐射源与探测器的基本原理、模拟与设计、器件研制方法以及THz通信与成像应用等。
半导体科学与技术.pdf
本书是《自然科学学科发展战略调研报告》之一。这套调研报告是国家自然科学基金委员会邀请有关科学家、信息专家、科技管理专家组成的50多个学科发展战略研究组的研究成果。这些成果具有较高的科学性、权威性和较好的可行性，对发展我国科技事业有重要的指导意义。 本书主要论述半导
半导体激光器速率方程理论（上册）.pdf
速率方程理论是从微观唯象观点，以唯象参数为工具，以粒子数守恒为依据的速率方程为分析手段的半导体激光器件物理理论，从全局上揭示半导体激光器的激射阈值相变、模式的竞争、谱系结构等静态行为和激射延迟、过冲、振荡过渡等瞬态行为，大小信号调制的方式方法及其速率、动态频谱结构、动态单模化、光
半导体材料（第二版）.pdf
本书主要介绍半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理，工艺和特性的控制等，全书包括：硅和锗的化学制备，区熔提纯，晶体生长，硅、锗晶体中的杂质和缺陷，硅外延生长等11章。