半导体材料的分析.pdf
本书叙述了高纯度的硅、二氧化硅、三氯硅烷、四氯化硅、锗、二氧化锗、镓、砷、砷化镓、铟等半导体材料及其中间产品中痕量杂质元素的测定方法，这些方法大部分是化学光谱法，此外也有比色法和极谱法．附录中叙述了高纯石墨的分析方法和高纯物质分析中常用试剂的提纯方法． 本书可供科
导体
半导体激光器激光波导模式理论. 下册.pdf
本书系统讨论了缓变光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计。并讨论了分布反馈方式的水平腔和垂直腔光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计。
高功率、高光束质量半导体激光 国家自然科学基金委员会,中国科学院 编.pdf
本书从半导体激光学科的科学意义与战略价值、发展趋势和特点、国内外发展态势、发展思路和发展方向、发展机制与政策建议等方面系统地研究了高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展规律，并结合国内的实际情况为我国高功率、高光束质量半导体激光学科及产业的发展提出了相关建议。
金属半导体接触.pdf
本书为金属半导体接触方面的专著，主要介绍一些金属与常用半导体锗、硅、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物之间肖特基势垒和欧姆接触的形成，势垒中的电流输运机理和势垒电容的性质，以及势垒高度等重要参数的测量方法．本书综合了近十年来的大量实验结果，并与各种理论模型进行了比较．对实际接触中通常出现的问
半导体光放大器及其应用.pdf
本书共分9章，介绍了半导体光放大器的原理、器件结构、性能参数和可能产生的应用，介绍了半导体光放大器增益介质的不断改进和相应的性能改善，阐述了半导体炮放大器在全光信号处理的几个不同方面的应用研究结果，介绍了半导体光放大器作为一个重要器件参与光电子集成的关键技术。
植根厚土 笃行致远：郑厚植院士文集 中国科学院半导体研究所 编.pdf
本书梳理和总结中国科学院院士、物理学家郑厚植先生近60年从事物理学领域科研活动的历程。主要包括郑厚植院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研评述、学术咨询、自传等内容。郑厚植院士是我国著名的物理学家，在理论及应用方面对半导体低维量子结构中的新效应进行了系统的研究，并取得
格物建新：夏建白院士文集.pdf
《格物建新：夏建白院士文集》梳理和总结了中国科学院院士、半导体物理学家夏建白先生近60年从事半导体物理学领域科研活动的历程。主要包括夏建白院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、自传以及获授奖项等内容。夏建白院士是我国著名的半导体物理学家，在低维半导体微结构电子态的量子理论
如下图所示，有一对与电阻R相连的平行导轨M和N，它们在同一水平面上．现加一个匀强磁场，磁感应强度B＝1T，磁场方向垂直纸面向里，两导轨间距离l＝0.05m．一质量m＝0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上（导轨和ab的电阻均不计），ab与导轨的摩擦因数μ＝0.1．今以F＝0.03N的水平力拉ab，使它以恒定的速度v＝4m／s向右运动．取g＝10m／s2，求： （1）R的阻值； （2）电路中的电流； （3）电阻R消耗的功率．
如下图所示，有一对与电阻R相连的平行导轨M和N，它们在同一水平面上．现加一个匀强磁场，磁感应强度B＝1T，磁场方向垂直纸面向里，两导轨间距离l＝0.05m．一质量m＝0.01kg的导体杆ab垂直放在导轨上（导轨和ab的电阻均不计），ab与导轨的摩擦因数μ＝0.1．今以F＝0.03N的水平力拉ab，使它以恒定的速度v＝4m／s向右运动．取g＝10m／s2，求： （1）R的阻值； （2）电路中的电
半导体的电子结构与性能.pdf
本书共分11章，主要介绍了半导体中的能带理论、光学性质和电输运、半导体中的本征点缺陷、半导体中的晶界等内容。
电力电子电路.pdf
本书对谐波分析、坐标变换等作为控制分析理论进行总结，重点阐述了PWM逆变器的新控制方法和交流变换电路的新的直接变换电路的整理等内容。