半导体器件研究与进展. (三).pdf
《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．本丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自己的科学实践． 本书是这套丛书的第三册，包括专题文章五篇，分别介绍分子束外延、金属有
导体
半导体光子学.pdf
本书包括光子材料、异质结构和能带、辐射复合发光和光吸收、光波传输模式；超晶格和量子阱、发光管、激光器、探测器、光波导器件和太阳能电池等光子器件的工作原理；器件结构和特性以及光子晶体、光子集成等内容。力求对半导体光子学的基本概念、光子器件的物理内涵和前沿研究的发展趋势作深入的描述和
半导体器件可靠性物理.pdf
本书重点阐述了发生在半导体器件内部的、导致器件失效的各种物理及化学效应，亦即失效机理。全书共八章，前二章简要地叙述了半导体器件的工艺结构，参数及温度特性；后六章分别论述了热与热电反馈效应，界面效应、薄膜的高电流密度效应（电徙动）、静电效应、辐射效应以及化学和电化学效应（湿度效应）
低维半导体光子学.pdf
本书为“低维材料与器件丛书”之一。全书主要介绍低维半导体光子学的物理基础，低维半导体材料制备与能带调控、瞬态光学特性、光传输与光反馈、光子调控、非线性光学性质和纳米尺度光学表征与应用，以及基于低维半导体材料或结构的发光二极管、激光器、光调制器和非线性光学器件等，最后介绍了基于低维
如图，一匀强磁场与导线框平面垂直，当导体棒AB向右运动时，在回路ABCD中产生的感应电流的方向和AB棒所受的安培力的方向分别为（ ）．
如图，一匀强磁场与导线框平面垂直，当导体棒AB向右运动时，在回路ABCD中产生的感应电流的方向和AB棒所受的安培力的方向分别为（ ）．
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件.pdf
本书共14章，介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中．有两根相距为L的平行导轨．导轨平面与磁场垂直．导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动．欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．
如图所示，在一磁感应强度为B的匀强磁场中．有两根相距为L的平行导轨．导轨平面与磁场垂直．导轨左端连接一阻值为R、功率为P的小灯泡．现有一与平行导轨垂直放置的导体杆，以平行于导轨的速度沿导轨匀速向右滑动．欲使小灯泡正常发光（导轨和导体杆电阻不计），试求： （1）导体杆滑动速度v的大小； （2）导体杆所受安培力F的大小和方向．
半导体光学 | 影印本.pdf
本书在第二版基础上进行了更新和扩展，对红外光-可见光-紫外光范围内的半导体光学作了回顾和总结，内容包括：线性和非线性光学性质，动力学特性，磁光学和电光学，强激励效应，一些应用、实验技术和群理论。本书的数学知识基础、简单，读者可以直观理解实验结果和所用到的处理技术。本书涉及物理学、