金属-氧化物-半导体集成电路 : 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的理论、设计、制造和在整体中的应用.pdf
金属-氧化物-半导体（MOS）大规模集成电路，是近十年来发展起来的一种新技术． 本书以铝栅P沟道MOS工艺为重点，对这一技术进行了比较全面的介绍．内容包括：MOS技术的优缺点及应用情况（第一章）；MOS绝缘栅场效应晶体管的原理、工艺和版图设计（第二、三、八章）；M
导体
半导体激光器激光波导模式理论. 下册.pdf
本书系统讨论了缓变光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计。并讨论了分布反馈方式的水平腔和垂直腔光波导结构与其光模式的空间和频谱分布的关系及其控制作用和设计。
半导体异相光催化 : 热动力学机制研究和实验论证.pdf
本书系统论述了半导体异相光催化的热动力学机制并讨论了相关实验，内容涉及光催化的研究进展、热力学和功效应、数学物理分析和实验论证；从宏观热力学角度出发，论述了光催化中光生载流子功效应及与光催化效应的关联，并通过掺杂、调节光强和双光束诱导等实验进行了论证；综合分析了光催化物理化学过程
半导体器件物理与工艺.pdf
本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面
半导体电路基础. 第三册.pdf
本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材． 本书共分四册．第一、二册为半导体低频放大电路，第三、四册为脉冲及数字电路． 第三册内容包括二极管和三极管的开关特性，限幅和箝位电路，双稳态和单稳态触发电路，自激多谐振荡器和同
MgB2超导体的成相与掺杂机理.pdf
本书首先介绍了MgB2的超导性能及发展概况，系统地研究了其成相热力学和动力学，同时对其烧结成相过程进行了全面的论述。
半导体器件表面钝化技术.pdf
半导体器件表面钝化问题对提高器件的可靠性和稳定性极为重要．本书是根据国内外书刊上已发表的有关资料编译而成．全书共分五部分：第一部分主要介绍半导体表面的基本理论、Si-SiO2系统的界面性质以及表面对器件特性的影响；第二部份到第四部份分别详细地介绍了SiO
窄禁带半导体物理学.pdf
本书主要讨论窄禁带半导体的基本物理性质，包括晶体生长、能带结构、光学性质、晶格振动、自由载流子的激发、运输和复合、杂质缺陷、表面界面、二维电子气等基本物理现象、效应和规律以及近年来的主要研究进展。
半导体器件的计算机模拟方法.pdf
本书系统地阐述了半导体器件的计算机模拟方法和模拟过程．全书共九章，分为三个部分．前三章介绍基本的器件模型方程及在计算机模拟中经常使用的有限差分法、有限元法和蒙特卡罗方法；第四至第七章分析了半导体PN结二极管、双极型晶体管、MOS器件，以及MESFET的模拟问题．对稳态模拟、瞬态模