半导体器件可靠性物理.pdf
本书重点阐述了发生在半导体器件内部的、导致器件失效的各种物理及化学效应，亦即失效机理。全书共八章，前二章简要地叙述了半导体器件的工艺结构，参数及温度特性；后六章分别论述了热与热电反馈效应，界面效应、薄膜的高电流密度效应（电徙动）、静电效应、辐射效应以及化学和电化学效应（湿度效应）
半导体器件
半导体器件化学.pdf
本书是我社出版的《化学知识丛书》之一．从化学的角度出发，介绍半导体器件生产工艺中的基本原理． 全书共分八章．前三章扼要地介绍一些化学基本概念和基本理论，后五章重点阐述氧化、化学清洗、光刻、扩散、制去离子水以及制版等工艺中的化学过程和原理．对于其它有关的工艺原理也作
半导体器件新工艺.pdf
本书主要介绍了单晶硅圆片的加工技术、大规模集成电路的设计制版、芯片加工与封装检验技术、多种类型的半导体材料与器件的应用及未来的展望等内容。
半导体器件的计算机模拟方法.pdf
本书系统地阐述了半导体器件的计算机模拟方法和模拟过程．全书共九章，分为三个部分．前三章介绍基本的器件模型方程及在计算机模拟中经常使用的有限差分法、有限元法和蒙特卡罗方法；第四至第七章分析了半导体PN结二极管、双极型晶体管、MOS器件，以及MESFET的模拟问题．对稳态模拟、瞬态模
半导体器件表面钝化技术.pdf
半导体器件表面钝化问题对提高器件的可靠性和稳定性极为重要．本书是根据国内外书刊上已发表的有关资料编译而成．全书共分五部分：第一部分主要介绍半导体表面的基本理论、Si-SiO2系统的界面性质以及表面对器件特性的影响；第二部份到第四部份分别详细地介绍了SiO
半导体器件物理与工艺.pdf
本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面
功率半导体器件基础 : 英文版 | Fundamentals of power semiconductor devices影印版.pdf
本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
半导体器件物理学习与考研指导.pdf
本书内容包括半导体物理基础、PN结、双级结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管等。
半导体器件电离辐射总剂量效应 陈伟等 编著.pdf
辐射在半导体器件中电离产生电子-空穴对，长时间辐射剂量累积引起半导体器件电离辐射总剂量效应。电离辐射总剂量效应是辐射效应中最常见的一种，会导致器件性能退化、阈值电压漂移、迁移率下降、动态和静态电流增加，甚至功能失效，因此在辐射环境中工作的半导体器件和电子系统必须考虑电离辐射总剂量