碳化硅宽带隙半导体技术.pdf
本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质，晶体及薄膜生长技术，器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用，同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍。
半导体
半导体物理. 下册.pdf
本书系统、详细地讲述了从固体物理基础直到半导体器件原理的有关知识．全书分上、下两册：上册主要讲述固体物理和半导体物理基础，包括六章：固体物理基础、固体原子论、固体电子论、半导体的电学性质、半导体的光学性质、半导体的声子特性．下册主要讲述器件物理，包括四章：半导体界面物理、半导体电
半导体物理与器件实验教程.pdf
本书分上、下两篇。上篇为半导体物理实验部分，包括晶体结构构建、晶体电子结构仿真与分析、单波长椭偏法测试分析薄膜的厚度与折射率等；下篇为微电子器件实验部分，包括二极管直流参数测试、双极型晶体管直流参数测试、MOS场效应晶体管直流参数测试等。
占“新”为民 兴“材”报国——王占国院士文集.pdf
本书梳理和总结了中国科学院院士、半导体材料及材料物理学家王占国院士近60年从事半导体材料领域科研活动的历程。主要包括王占国院士生活和工作的珍贵照片、有代表性的研究论文、科研和工作事迹、回忆文章、获授奖项以及育人情况等内容。王占国院士是我国著名的半导体材料及材料物理学家，对推动我国
半导体电路基础. 第三册. 第一分册.pdf
本书是为教育部和中央广播事业局共同举办的电视教育讲座编写的电子技术教材． 本书共分四册．第一、二册为半导体低频放大电路，第三、四册为脉冲及数字电路． 第三册分二个分册，内容主要包括二极管和三极管的开关特性，限幅和箝位电路，双稳态和单稳态触发电路，自
集成电路工艺与设备.pdf
本书系根据美国1967年出版的《Integrated Circuit Technology》一书译出。其主要特点是结合集成电路的主要工序，对所使用的各种设备作了介绍。这其中包括外延扩散、真空系统、制版、金属化、划片、焊接、最后封装、红外线分析、电子束加工、自动测试、电路失效机理分
金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计.pdf
本书系统地介绍了金属-氧化物-半导体器件和金属-氧化物-半导体集成电路的设计诸问题．全书共分六章．第一章为引言．第二章和第三章阐述了金属-氧化物-半导体器件的工作原理，推导出器件的基本方程并介绍了设计金属-氧化物-半导体集成电路所必须的基本知识．第四章讨论了金属-氧化物-半导体器
宽禁带半导体金刚石辐照缺陷的光致发光与光致变色.pdf
金刚石具有宽禁带、高热导率、高本征温度、高载流子迁移率、高击穿电压及良好的抗辐射特性等优点，被认为是新一代理想的半导体材料，制成的金刚石场效应管、肖特基二极管等器件可在航空航天等恶劣条件下工作。在作者近10年来从事宽禁带半导体金刚石晶体缺陷表征研究工作的基础上，本书系统地介绍金刚